microphase石墨烯合成裝置MPCVD-50介紹

發(fā)布時(shí)間：2022-09-07　點(diǎn)擊量：1835

microphase石墨烯合成裝置MPCVD-50介紹

用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫?qū)倩锍赡さ取?/p>

目的：	用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設(shè)備。通過(guò)增加氨氣、各種CVD反應(yīng)氣體、升華固體前驅(qū)體、液體前驅(qū)體的引入單元，可應(yīng)用于氮化、硫?qū)倩铮ǘ蚧fMoS2等）層狀材料沉積等。
特征：	配備液體燃料（乙醇）引入系統(tǒng)，可用于無(wú)法安裝烴類(lèi)氣體的場(chǎng)所。　3系統(tǒng)質(zhì)量流量氣體流量控制系統(tǒng)，可以進(jìn)行精確的氣體控制。　真空排氣系統(tǒng)是標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，可用作真空爐或氣氛爐。　緊湊而堅(jiān)固的外殼設(shè)計(jì)，易于安裝在桌面實(shí)驗(yàn)室工作臺(tái)上。　高度可擴(kuò)展且易于處理任何類(lèi)型的處理。

目的：

用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設(shè)備。
通過(guò)增加氨氣、各種CVD反應(yīng)氣體、升華固體前驅(qū)體、液體前驅(qū)體的引入單元，
可應(yīng)用于氮化、硫?qū)倩铮ǘ蚧fMoS2等）層狀材料沉積等。

特征：

LIB電池用Si負(fù)極材料上的碳涂層

二硫化鉬薄膜

長(zhǎng) CNT/Si 的 SEM 圖像

粉末狀 CNT 的 SEM 圖像

主要規(guī)格

基本配置	管式爐	正常使用溫度	400-1000℃
		爐內(nèi)尺寸	60mmφ×L260mm
		溫度控制	1區(qū)可編程溫度控制器
		外形尺寸	W300mm x H200mm x D186mm
		電容	700W
	芯管	材料	石英
		尺寸	OD50mm x ID46mm x L900mm
	氣體控制	質(zhì)量流量控制器
		引入氣體類(lèi)型	載氣：N2 或 Ar 還原氣體：H2 烴類(lèi)氣體：C2H2 或 C2H4 或 CH4
	真空計(jì)	波登管真空計(jì)
	排氣泵	旋轉(zhuǎn)泵
		外形尺寸	W156mm x H200mm x D300mm
	液體物料引入系統(tǒng)
	催化劑前驅(qū)體引入機(jī)制
	外形尺寸	W1100mm×H1000mm×D500mm

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