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      硅晶片內(nèi)部檢查和背面圖案的觀察用近紅外鹵素光源

      發(fā)布時(shí)間:2021-11-09 點(diǎn)擊量:1341

      硅晶片內(nèi)部檢查和背面圖案的觀察用近紅外鹵素光源

      image.png

      SIS-150 (-NIR / -AIR)
      近紅外線照射裝置

      在近紅外線區(qū)域有峰值的光纖光源裝置。
      通過與專用光學(xué)系統(tǒng)和對(duì)近紅外區(qū)域敏感的相機(jī)一起使用,它
      非常適合無損檢測(cè),例如硅晶片的內(nèi)部檢查和背面圖案的觀察。

      專用選件
      * 可安裝波長(zhǎng)選擇帶通濾波器
      *可安裝機(jī)械快門
      *可安裝256 級(jí)數(shù)字調(diào)光板
       * Anadigi 調(diào)光板(控制電壓(0-5V))
       * 并行調(diào)光板(并行 8bit 數(shù)字信號(hào)) ))
       * 串口調(diào)光板(RS232C串口8bit數(shù)字信號(hào))
      模型SIS-150-NIRSIS-150-空氣
      額定輸入電壓AC100-240VAC100-240V
      額定輸入頻率50 / 60Hz50 / 60Hz
      照明方式直流照明方式直流照明方式
      光強(qiáng)調(diào)節(jié)可變輸出電壓 可變
      電壓范圍:DC2V 至 15V
      可變光強(qiáng)范圍:0.1% 至 100%
      可變輸出電壓 可變
      電壓范圍:DC2V 至 15V
      可變光強(qiáng)范圍:0.1% 至 100%
      保護(hù)功能過流保護(hù)電路(重新上電
      恢復(fù)) 過熱保護(hù)電路(自動(dòng)恢復(fù))
      過流保護(hù)電路(重新上電
      恢復(fù)) 過熱保護(hù)電路(自動(dòng)恢復(fù))
      冷卻方式強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻
      工作溫度/濕度0°C-40°C/20%-80%RH(但不結(jié)露)0°C-40°C/20%-80%RH(但不結(jié)露)
      功能燈管燒毀信號(hào)輸出:集電極開路/發(fā)射器
      模擬信號(hào)電壓調(diào)光:DC0至5V輸入
      遠(yuǎn)程燈開/關(guān):通過施加DC5V關(guān)閉
      燈管燒毀信號(hào)輸出:集電極開路/發(fā)射器
      模擬信號(hào)電壓調(diào)光:DC0至5V輸入
      遠(yuǎn)程燈開/關(guān):通過施加DC5V關(guān)閉
      外形尺寸W124 x H165 x D224 mm(不包括突出部分的尺寸)W124 x H165 x D224 mm(不包括突出部分的尺寸)
      重量約2.7kg約2.7kg
      照射波長(zhǎng)400-1100nm400-1700nm
      峰值波長(zhǎng)800納米1000納米
      光導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格專用耐熱光導(dǎo)



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